日经爱游戏注册爱游戏报道，爱游戏注册爱游戏:夏普正与尔必达联手开发下一代爱游戏注册爱游戏:ReRAM可变电阻式爱游戏注册爱游戏:闪存芯片，预计在2013年实现量产。

　　早在2007年，富士通就宣布开发出了这种可变电阻式爱游戏注册爱游戏:闪存芯片，它在降低功耗的同时写入速度达到目前手机所用NAND爱游戏注册爱游戏:闪存芯片的10000倍。日经爱游戏注册爱游戏称，采用爱游戏注册爱游戏:ReRAM芯片的设备可以在几秒钟的时间内下载一部高清电影，待机模式下功耗几乎为零。

　　除了爱游戏注册爱游戏:夏普和尔必达外，日本产业技术综合研究所、东京大学以及其它芯片设备制造商也将加入到研发爱游戏注册爱游戏作当爱游戏注册爱游戏。该芯片最早将在2013年实现量产，尔必达将可能负责这一生产爱游戏注册爱游戏作。

　　此外其它竞争对手同样也在积极研发新型存储芯片，东芝就在开发一种层式结构(layered structure)闪存芯片;三星除了研发爱游戏注册爱游戏:ReRAM外，相变式存储芯片和磁性存储芯片的开发爱游戏注册爱游戏作也在进行爱游戏注册爱游戏。