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夏普联袂尔必达开发下一代ReRAM闪存芯片

—— 夏普、尔必达合作开发下一代ReRAM闪存芯片
作者:时间:2010-10-13来源:cnBeta

  日经爱游戏注册爱游戏报道,正与尔必达联手开发下一代可变电阻式,预计在2013年实现量产。

本文引用地址:http://loohoos.com/article/113465.htm

  早在2007年,富士通就宣布开发出了这种可变电阻式,它在降低功耗的同时写入速度达到目前手机所用NAND的10000倍。日经爱游戏注册爱游戏称,采用芯片的设备可以在几秒钟的时间内下载一部高清电影,待机模式下功耗几乎为零。

  除了和尔必达外,日本产业技术综合研究所、东京大学以及其它芯片设备制造商也将加入到研发爱游戏注册爱游戏作当爱游戏注册爱游戏。该芯片最早将在2013年实现量产,尔必达将可能负责这一生产爱游戏注册爱游戏作。

  此外其它竞争对手同样也在积极研发新型存储芯片,东芝就在开发一种层式结构(layered structure)闪存芯片;三星除了研发外,相变式存储芯片和磁性存储芯片的开发爱游戏注册爱游戏作也在进行爱游戏注册爱游戏。

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