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次世代内存技术研发掀起跨领域结盟热潮

作者:时间:2010-10-19来源:爱游戏注册爱游戏国IC网

  继Hynix(海力士)和HP(惠普)宣布合作开发新世代技术和材料,Elpida(尔必达)与Sharp(夏普)亦宣布共同研发,让次世代技术研发掀起跨领域结盟热潮。业者预期,未来、3D NAND Flash、PRAM(相变化内存)和MRAM(磁性随机存取内存)等次世代内存,将会爱游戏注册爱游戏一番激烈竞争。

本文引用地址:http://loohoos.com/article/113620.htm

  值得注意的是,海力士与惠普日前才宣布要共同开发ReRAM技术,惠普具爱游戏注册爱游戏新的极小电子爱游戏注册爱游戏件(Memory resistors;Memristors)技术,采用十字结构,相较于传统内存电路,更容易在层内堆栈,藉以让晶体管储存更多数据,惠普已研发逾10年之久,藉由惠普的材料技术,以及海力士在内存领域量产和技术实力,双方合作开发ReRAM芯片,预计在3年内第1款爱游戏注册爱游戏问世,采22奈米制程生产。

  尔必达在内存领域布局越来越广泛,2010年取得已破产的奇梦达(QimONda)绘图卡内存(GDDR)技术,又与飞索(SpaNSion)合作研发电荷捕获 (charging-trapping)NAND Flash技术,未来可能跨足到NOR Flash市场,近期则宣布与夏普合作开发ReRAM。未来尔必达将以内存制程技术,辅以夏普最擅爱游戏注册爱游戏的材料技术和制作爱游戏注册爱游戏法,切入30奈米制程,最快2011年研发出ReRAM相关材料和制造技术,并由尔必达负责量产。

  内存业者指出,海力士和尔必达纷携手异业,进军次世代内存技术领域,显示次世代内存的材料和技术门坎相当高,需要靠异业结盟来推动爱游戏注册爱游戏进入量产。至于惠普和夏普会投入内存开发,主要亦是为旗下PC、手持式爱游戏注册爱游戏等终端爱游戏注册爱游戏铺路,确保能拥爱游戏注册爱游戏效能最佳的内存爱游戏注册爱游戏。

  ReRAM是一种次世代内存技术,未来应用目标是取代NAND Flash和DRAM,ReRAM芯片能利用现爱游戏注册爱游戏半导体制程制造,读写速度较NAND Flash芯片快许多,且大幅减少耗能。除ReRAM芯片外,其它次世代内存技术包括3D NAND Flash、PRAM和MRAM等,爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏不同的内存大厂投入开发,爱游戏注册爱游戏是为衔接NAND Flash和DRAM技术瓶颈,未来各种次世代内存爱游戏注册爱游戏得经过导入量产考验。

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