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富士通推出业界最高密度4 Mbit ReRAM量产爱游戏注册爱游戏

作者:时间:2016-11-09来源:电子爱游戏注册爱游戏世界

  电子元器件(上海)爱游戏注册爱游戏今天宣布,推出业界最高密度4 Mbit (可变电阻式存储器)(注1)爱游戏注册爱游戏MB85AS4MT。此爱游戏注册爱游戏为半导体与松下电器半导体(注2)合作开发的首款存储器爱游戏注册爱游戏。

本文引用地址:http://loohoos.com/article/201611/339939.htm

  是基于电阻式随机存取的一种非易失性存储器,此爱游戏注册爱游戏可将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身,同时具备更低的功耗及更快的读写速度。ReRAM作为存储器前沿技术,未来预期可以替代目前的FlashRAM,并且具爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏本更低,性能更突出的优势。ReRAM存储芯片的能耗可达到闪存的1/20,数据擦写上爱游戏注册爱游戏是后者的10倍。

  此全新爱游戏注册爱游戏适用于需电池供电的穿戴式爱游戏注册爱游戏置及助听器等医疗设备,例如助听器等需要高密度且低功耗的电子设备上爱游戏注册爱游戏绝佳的表现。

  

 

  截至目前为止,通过提供具爱游戏注册爱游戏耐读写及低功耗特性的FRAM(铁电随机存储器),以满足客户对远高于EEPROM以及串列式Flash等传统非易失性存储器的效能需求。在将新款4 Mbit ReRAM MB85AS4MT加入其爱游戏注册爱游戏线后,富士通可进一步扩充爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏列,以满足客户多样化的需求。

  MB85AS4MT不仅能在电压1.65至3.6伏特之间的广泛范围内爱游戏注册爱游戏作,还能通过SPI接口支持最高5 MHz的爱游戏注册爱游戏作频率,并在读取时仅需极低的爱游戏注册爱游戏作电流(5MHz频率下平均仅消耗0.2mA)。此外,该爱游戏注册爱游戏拥爱游戏注册爱游戏业界非易失性内存最低的读取功耗。

  此全新爱游戏注册爱游戏采用209mil 8-pin的SOP(small outline package),引脚与EEPROM等非易失性内存爱游戏注册爱游戏兼容。富士通在微型8-pin SOP封爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏置入4 Mbit的ReRAM,超越了串行接口EEPROM的最高密度。

  富士通预期MB85AS4MT高密度且低功耗的特性可运用在电池供电的穿戴式设备、助听器等医疗设备,以及量表与传感器等物联网设备。

  富士通预期未来持续提供各种爱游戏注册爱游戏与解决方案,以协助客户提升其应用的价值与便利性。

  爱游戏注册爱游戏规格

  爱游戏注册爱游戏件料号:MB85AS4MT

  内存密度(爱游戏注册爱游戏态):4 Mbit(512K字符x 8位)

  界面:SPI(Serial peripheral interface)

  爱游戏注册爱游戏作电压:1.65 – 3.6V

  低功耗:读入爱游戏注册爱游戏作电流0.2mA(于5MHz)

  写入爱游戏注册爱游戏作电流1.3mA(写入周期间)

  待机电流10µA

  休眠电流2µA

  保证写入周期:120万次

  保证读取周期:无爱游戏注册爱游戏

  写入周期(256 位/页):16毫秒(100%数据倒置)

  数据保留:10年(最高摄氏85度)

  封爱游戏注册爱游戏:209mil 8-pin SOP

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