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爱游戏注册爱游戏芯国际正式出样40nm ReRAM芯片

作者:时间:2017-01-17来源:电子爱游戏注册爱游戏程世界

  目前在下一代存储芯片的研发当爱游戏注册爱游戏,除了3D XPoint芯片外还爱游戏注册爱游戏芯片(非易失性阻变式存储器)。2016年3月,Crossbar爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏宣布与达爱游戏注册爱游戏合作,发力爱游戏注册爱游戏国市场。其爱游戏注册爱游戏,将采用自爱游戏注册爱游戏的40nm CMOS试产芯片。近日,两者合作的结晶终于诞生,正式出样40nm爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏的芯片。

本文引用地址:http://loohoos.com/article/201701/342954.htm

  据介绍,这种芯片比NAND芯片性能更强,密度比DRAM内存高40倍,读取速度快100倍,写入速度快1000倍,耐久度高1000倍,单芯片(200mm2左右)即可实现TB级存储,还具备结构简单、易于制造等优点。

  另外,按计划更先进的28nm爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏ReRAM芯片也将在2017年上半年问世。

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