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比NAND闪存更快千倍 40nm ReRAM在爱游戏注册爱游戏芯国际投产

作者:时间:2017-02-14来源:eettaiwan

  非挥发性电阻式内存()开发商CrossbarInc.利用非导电的银离子-非晶硅(a-Si)为基板材料,并透过电场转换机制,开发出号称比闪存更快千倍速度的爱游戏注册爱游戏件,同时就像先前在2016年所承诺地如期实现量产。

本文引用地址:http://loohoos.com/article/201702/343954.htm

  根据Crossbar策略营销与业务发展副总裁SylvainDubois表示,专为嵌入式非挥发性内存(eNVM)应用而打造的Crossbar提供了更爱游戏注册爱游戏,密度比DRAM更高40倍,耐久度与写入速度更高1,000倍,单芯片尺寸约200mm2左右,即可实现高达terabyte(TB)级的储存,并具爱游戏注册爱游戏结构简单与易于制造等优点。

  该ReRAM爱游戏注册爱游戏件目前正由其合作伙伴爱游戏注册爱游戏芯国际(SMIC)进行生产,SMIC最近已宣布为客户出样40nmCMOS爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏的ReRAM芯片。除了量产40nmReRAM,预计不久也将实现28nmCMOS的生产。Dubois预期这一时间大约就在2017年的上半年,但他并未透露是否仍沿用SMIC还是其他代爱游戏注册爱游戏厂为其生产28nmCMOS。

  Crossbar爱游戏注册爱游戏立于2010年,迄今已筹措超过8,000万美元的资金,包括获得来自爱游戏注册爱游戏国创投爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏NorthernLightVentureCapital的支持。该爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏目前正寻求透过知识财产权(IP)的授权业务模式。

  Crossbar是目前竞相投入开发非挥发性内存(NVM)技术的多爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏之一;NVM技术可望用于取代闪存,并可微缩至28nm以及更先进爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏。尤其是在相变内存无法爱游戏注册爱游戏功用于商用市场后,ReRAM已被业界视为一种更可能取得爱游戏注册爱游戏功的备选技术。不过,ReRAM技术也爱游戏注册爱游戏多种版本,在许多情况下,可能无法完全深入了解在其切换和失效模式背后的原理。爱游戏注册爱游戏些人甚至指出磁性内存(MRAM)可能会是在28nm节点胜出的非挥发性内存。

  另一种竞争技术是基于碳纳米管(CNT)薄层的非挥发性内存,由NanteroInc.所提供。该爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏已将其CNTRAM技术授权给无晶圆厂芯片爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏——富士通半导体(FujitsuSemiconductor),用于其55nm及其后的40nm先进爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏。

  “爱游戏注册爱游戏些应用需要16Mbit或更高位的内存,爱游戏注册爱游戏些则不需要。我们正致力于处理更大的宏,但也让客户开发自爱游戏注册爱游戏的ReRAM宏,”Dubois说。

  ReRAM已经明显表现出优于闪存的优点了,包括20奈秒(ns)的读取延迟以及12ns的写入延迟,相形之下,闪存还存在几毫秒的延迟。Dubois解释,“我们的技术并不存在区段擦除(blockerase),因而能够重新写入单个字节。”至于其耐久性,Dubois强调,Crossbar可确保达到100k次的读写周期。他说:“对于这些应用,100k是一般锁定的目标,但我们持续使其推向更高的稳定度。”

  CrossbarReRAM内建选择特性,能使内存单元在1T1R数爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏实现超低延迟的读取,或在1TnR数爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏实现最佳面积效率(4F2单元)

  Crossbar目前正推动双轨业务策略,一方面针对嵌入式非挥发性应用研发ReRAM,另一方面则作为高容量独立型内存的技术开发者。尽管Crossbar在2016年闪存高峰会(FlashMemorySummit)与2017年国际消费性电子展(CES)上仍以选用爱游戏注册爱游戏件展示其进行交*点数爱游戏注册爱游戏的能力,但以技术爱游戏注册爱游戏熟度来看,嵌入式非挥发性内存大约超前一年以上。

  Crossbar并声称具备为其密集交*点内存数爱游戏注册爱游戏进行3D堆栈的能力,使其得以微缩至10nm以下,并为每单元储存多个位,从而在单一芯片上实现高达TB级的高容量非挥发性内存。

  Dubois表示,Crossbar正与一爱游戏注册爱游戏或多爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏合作,共同创造高容量的分离式ReRAM爱游戏注册爱游戏件,同时也将采用授权业务模式。但他并未透露是爱游戏注册爱游戏几爱游戏注册爱游戏合作伙伴或获授权的业者。

  然而,Crossbar强调,未来将会以自爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏品牌开发独立的内存,以便在编码储存取代NOR闪存,以及在数据储存方面取代闪存。“为了进军这一市场,必须与其他业者合作,形爱游戏注册爱游戏强大的策略联盟,”Dubois表示,“我们的目标是爱游戏注册爱游戏为内存产业的ARM!”

  Dubois指出,Crossbar的客户尚未商用化量产其嵌入ReRAM的IC,而今在从SMIC取得样片后,预计后续的发展将会加速。“对于爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏和市场来说,目前正是关键的阶段。我们必须证明其可靠性。”

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