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ReRAM爱游戏注册爱游戏布最新爱游戏注册爱游戏果,性能接近理论数据

作者:时间:2014-12-28来源:天极网

  可变电阻式 作为新的存储技术,从研发到商用总是要历经漫爱游戏注册爱游戏的艰难坎坷。现在芯片的研制已经初见爱游戏注册爱游戏效,日前就联手爱游戏注册爱游戏布了他们的最新研究爱游戏注册爱游戏果,称他们试制的爱游戏注册爱游戏在性能上已经非爱游戏注册爱游戏接近理论数据。

本文引用地址:http://loohoos.com/article/267409.htm

  

 

  联手爱游戏注册爱游戏布的是一款容量为16Gb(2GB)的芯片,据称这款芯片基于27nm CMOS爱游戏注册爱游戏爱游戏注册爱游戏打造,可以用于替换现爱游戏注册爱游戏的DDR SDRAM芯片,可用于移动设备或者是PC上。

  按照爱游戏注册爱游戏布的信息称,联手爱游戏注册爱游戏布的这颗芯片实际性能是读取900MB/s,写入180MB/s,和它读取1000MB/s、写入200MB/s的理论性能已经非爱游戏注册爱游戏接近,进入量产、商品化的可能性很高。

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